往期的文章中，介绍了晶圆退火工艺的常见类型冠达配资，见文章：
在晶圆退火工艺中，对于不同的芯片产品，所选用的退火氛围也是不同的，以实现不同的功能。不同的退火气体可产生不同的化学或物理效应，从而影响到晶体结构、电性能等。那么常见的退火气体有哪些？各有什么作用？各应用在哪些芯片产品中？
退火气体的选择原则？
在大多数的退火过程中，我们通常不希望气体与晶圆材料发生任何化学反应。在这种情况下，我们通常会选择化学稳定的气体。但在某些特定的退火工艺中，我们又希望气体与晶圆材料产生某种特定的化学反应，以形成所需的结构。
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退火气体的种类有哪些？
常用：氮气（N2）、氩气（Ar）、氦气（He），N2/H2,H2/He
展开剩余74%不常用：氨气（NH3）、甲烷（CH4）冠达配资，含氟气体，CH4/Ar，NH3/Ar
氮气 (N₂):
氮气是一个不活跃的气体，通常不与大多数晶圆材料发生化学反应。但在高温下氮气可以与硅等材料形成硅氮化物层。这种薄膜可以提供良好的电性能，在制造MOSFETs时，氮气退火可以用来形成门氧化物的顶部和底部的氮化层，是MOSFETs首选的退火气体。
氦气 (He):
氦气是最小的惰性气体，它不与其他物质发生化学反应。它的主要用途是作为热传导媒介，确保晶圆在退火过程中均匀加热，一般用作载气。
氩气 (Ar):
氩气也是一种稳定的惰性气体，不容易与其他物质发生化学反应。与氦气类似，氩气主要作为传热介质使用，但由于其较大的原子尺寸，其热传导性质略有不同。在退火中，它可以确保晶圆均匀加热。
氢气 (H₂):
氢气在高温下可以与晶圆上的氧、碳元素反应，从而去除晶圆上的有机或其他杂质。此外，氢气还可以还原一些金属氧化物，将它们转化为纯金属。在CMOS制程中，氢气退火经常用于去除栅氧化物/多晶硅界面的杂质，这有助于提高晶体管的电性能。在进行氢退火时，必须小心控制所有参数，以确保安全性。因为氢易燃，并且可以与空气中的氧形成爆炸性混合物。因此，纯氢退火必须在受控环境中进行，确保不会有空气泄漏进入，并确保设备的完整性,一般会用惰性气体稀释。
N2/H2
用 ~90% – 96% 氮气和 ~4% – 10% 氢气的混合物，通过两条带有质量流量控制器的气体管分别通入N2与H2，这样更精确地控制混合比例和流量。同时具备了N2与H2退火的特性，又降低了H2的危险性，应用范围较广。
由于篇幅原因，不太常用的晶圆退火气体就不在此详细讲诉了，有兴趣的朋友可以自行翻阅资料查询！
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